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FOTON-OHM              

UMR CNRS 6082  

PRINCIPALES TECHNIQUES

ÉQUIPEMENTS

  • 2 Machines d'épitaxie par jets moléculaires (MBE) : 1 MBE sources gaz Alliages GaInAsP(N)/ InP ou GaP (éléments V, P, As et N) et 1 MBE source solide (éléments V As/P), alliages GaAlInAsP/ InP ou GaP ou Si, ainsi que son environnement de gestion et de préparation des substrats. Les deux bâtis permettent de faire croître une grande variété de matériaux, et la croissance est réalisée sous contrôle RHEED in situ (cf. poster MBE). Un troisième bâti UHVCVD fonctionne maintenant pour la croissance du Silicium et de ses dopants. Il est couplé sous ultra-vide au bâti MBE à source solide.
  • Découpe, mise en forme, soudure d'échantillons ou composants.
  • Caractérisations optoélectroniques de base : Luminescence, spectroscopie, ellipsométrie spectroscopique, spectrométrie par transformée de Fourier. Lasers à impulsions femtosecondes dans le visible et le proche infrarouge, OPO (amplificateur optique paramétrique) pour analyse de phénomènes ultra rapides. Expériences de type "pompe-sonde". rayons X, double diffraction X (DDX), et système théta, 2 théta, microscopie à force atomique (AFM)

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