PROJETS
et THEMES ABORDES
L'équipe structure ses activités de recherche autour des
thèmes suivants :
- Croissance
et études des composants à base de boites quantiques pour
les applications lasers dans les télécommunications
Dans cette thématique, le laboratoire développe des
boites quantiques InAs sur substrat d'InP, pour réaliser des
lasers émettant par la tranche, à une longueur d'onde de
1,55 µm. En particulier, le laboratoire à obtenu un record
sur les courants de seuil atteints, faisant l'état de l'art
mondial. Ces lasers sont maintenant optimisés afin d'être
intégrés dans des systèmes télécoms
à haut débit.
contact :
S. Loualiche
- Micro
cavités optiques accordables et VCSELs à base de
nanostructures pour les télécommunications optiques
Le laboratoire possède une grande expérience dans
l'épitaxie de micro-cavités, ainsi que dans la
réalisation de multi-puits quantiques de InGaAs/InP. Ces puits
quantiques mis en cavité ont montré qu'il était
possible d'obtenir des durées de vie d'exciton
extrémement courtes (de l'ordre de la centaine de femto seconde,
ce qui n'a jamais été égalé par aucun autre
système) grâce à l'insertion de Fer dans ces
structures.
La très bonne qualité de ces cavités est
maintenant utilisée d'une part pour étudier les
durées de vie de recombinaison des porteurs dans des nanotubes
de carbone, et d'autre part pour réaliser des lasers à
base de puits quantiques à émission verticale (VCSELs)
émettant à 1,55 µm. Le développment
récent de ces VCSELs, combiné à l'étude des
propriétés de changement d'indice des cristaux liquides,
a permis d'obtenir récemment un VCSEL accordable pompé
optiquement. L'injection de courant électrique dans ces
VCSELs accordables reste la dernière étape à
franchir avant l'intégration de ceux-ci dans des systèmes
télécoms.
contact :
C. Paranthoën
- Photonique
III-V sur Silicium (optique intégrée sur Silicium et
applications photovoltaïques)
Le laboratoire travaille plus récemment sur le développement d'émetteurs optiques sur Silicium. Cela passe par la croissance du GaP
sur substrat de Silicium. Cette croissance, très dificile
à cause de la nature fondamentalement différente des deux
cristaux de GaP et de Si, permettrait d'ouvrir la voie de la photonique
sur Silicum, combinant ainsi les propriétés
électroniques du Si déjà bien connues par tout
l'industrie micro-électronique, et les bonnes
propriétés optiques des semi-conducteurs III-V. Ce
thème de recherche aborde donc d'une part le
développement de la croissance de GaP sur Silicium, et d'autre
part la mise au point d'une zone active pouvant émettre de la
lumière déposée sur GaP/Si. Pour se faire, le
laboratoire vient de se doter d'un troisième bâti
d'épitaxie pour faire la croissance du Silicium. Les
applications visées concernent les communications inter-puces
dans les circuits intégrés, et également
l'énergie solaire photovoltaïque.
contact :
O.
Durand,
C. Cornet
- émetteurs intra-bandes
à base de nanostructures pour le moyen infra-rouge
Ce thème de recherche a pour but de
proposer des émetteurs à base de nanostructures, pouvant
atteindre avec des transitions intra-bandes les longueurs d'onde de 1.55 µm. L'utilisation
d'alliages à base d'antimoine (Sb) sur substrat d'InP permet en particulier d'obtenir des longueurs d'onde adaptées.
contact : N.
Bertru
- nanothermique
des semiconducteurs (applications à la
récupération des pertes thermiques sousforme
électrique)
Ce thème de recherche, récemment abordé dans le
laboratoire, propose de développer un savoir-faire pour
récupérer les pertes thermiques présentes dans des
semi-conducteurs, et en utilisant la conversion
thermo-électrique, de générer un courant
électrique. Pour cela, des semi-conducteurs III-V sont
utilisés, qui combinent souvent une bonne conductivité
électrique, et une grande résistivité thermique.
sur ces semi-conducteurs III-V peuvent être déposés
des nanostructures permettant ainsi une meilleure
génération des porteurs, afin d'augmenter le rendement de
la conversion thermoélectrique.
contact :
H.
Folliot
