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UMR CNRS 6082  

Epitaxie par Jets Moléculaires (MBE) (poster PDF)

Le Cluster MBE-UHVCVD avec connexion sous ultra-vide

Le laboratoire de physique possède 2 bâtis d'épitaxie par jets moléculaires (source gazeuse GSMBE et source solide SSMBE) dédiés principalement à la croissance de matériaux III/V sur substrat d'InP, de GaP et de Si (puits et boites quantiques) et qui permettent de réaliser des alliages de type GaInAsP, GaAlInAsP, ou GaAsSb (en cours d'étude). D'autres type d'alliages nouveaux sont aussi envisagés, avec l'utilisation de nitrures dilués GaAsPN.

***  bâti d'épitaxie à source gaz : photos et principe :

mbe                      

Chambre et cannes des transfert des échantillons                             arrière du bâti : cellules conventionnelles et lignes de gaz

Ces chambres d'épitaxie sont placées sous ultra-vide, et les cellules permettent d'envoyer des flux moléculaires de différents éléments sur l'échantillon. La température de l'échantillon est controlée à l'aide d'un four. Ce procédé permet ainsi de déposer des couche d'atome les une après les autres, et de former également des nanostructures avec une très grande précision.

Schéma de principe d'un bâti d'épitaxie à source gaz :

*** Epitaxie par jets moléculaires à sources solides :

ssmbe

Chambre de transfert et chambre d'épitaxie

Dans cette chambre d'épitaxie, les flux moléculaires envoyés sur la surface de l'échantillon proviennent tous de sources solides, et non de sources gaseuses comme dans le précédent bâti. Le principe est sensiblement le même, mais l'utilisation de sources solides permet d'utiliser des matériaux différents comme l'antimoine Sb.

 

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