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FOTON-OHM
UMR CNRS 6082
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BILAN D'ACTIVITE-PROJETS-CONTRATS Les principaux axes de recherche de l'équipe sont la croissance, la réalisation, la simulation et les caractérisations de structures et de composants à base de semi-conducteurs III-V et de silicium. Ces nanostructures sont essentiellement des puits quantiques (QW), ou des boites quantiques (QDs). La croissance de telles structures est réalisée sur substrat InP, GaP ou Si à l'aide d'un bati d'épitaxie par jet moléculaire (MBE), qu'il soit à source gaseuse (GSMBE), ou à source solide (SSMBE) ou d'un bâti UHVCVD. Ainsi, des absorbants saturables en microcavité, des lasers à forte densité de boites quantiques, et à faible seuil émettant dans la fenêtre 1.4-1.7µm, ont pu être développés, et font maintenant l'état de l'art mondial en la matière. Un VCSEL accordable a également été développé pour les longueurs d'onde télécom. L'activité de recherche du laboratoire
lui a permis d'être reconnu tant sur le plan national que
international. Cela se traduit par des participations à des
contrats et des participations à des réseaux d'excellence
européens. Les principales activités financées du
laboratoire sont donc : Principales activités : 22- OPTOSI, Intégration par épitaxie de composants optoélectroniques III-V sur Si, ANR BLANC, 2012-2015. 21- MENHIRS, Intégration monolithique de cellules solaires III-V à haut rendement sur substrats de silicium, ANR PROGELEC, 2012-2014. 20- NAIADE, Nanocaractérisation et modélisation d'Antimoniures d'éléments III : Interfaces et Analyse des Déformations d'Epitaxie, ANR BLANC, 2012-2014. 19- SINPHONIC, Photonique sur silicium par intégration cohérente d'alliages à base de nitrures dilués, ANR JEUNE CHERCHEUR, 2012-2014. 18- PEROCAI, Pérovskites en Cavité , ANR Blanc, 2009-2012. 17- NANOTRANS, Boîtes quantiques semi-conductrices azotées : relation entre morphologie, structure électronique et propriétés optiques, projet C'nano Nord-Ouest , 2010-2012. 16- TELDOT, Lasers à Boîtes Quantiques pour Applications en Télécommunication , contrat ANR VERSO, 2009-2012. 15- IFONOLIS, Investigation des Fonctions Optiques NOn LInéaires dans les Semiconducteurs, absorption et émission à deux photons, Projet CREATE, H. Folliot, Région Bretagne 2009-2012. 14- Simulation par des méthodes k.p et ab initio des propriétés électroniques de boites quantiques InAs/Si : projet ANR Biquinis (Boites quantiques d'InAs insérées dans une matrice de silicium, 2008-2010). 13- Réalisation de lasers à boites quantiques ultra-rapides sur substrat InP, projet PRIR (région Bretagne) : DISTO (Dispositif tout optique de récupération d'horloge à très haut débit 2006-2009) 12-Réalisation de lasers edge émettant dans le moyen infra-rouge et intégration aux systèmes biologiques : allocation d'installation Rennes Métropole 2006 11-Réalisation et caractérisations de nanostructures sur substrats InP, GaP et Si. Projet CPER (région Bretagne) : PONANT (Développement d'un pôle régional de recherche sur la photonique et les nanostructures appliquées aux technologies de l'information, 2007-2013). Ce projet est financé à 35% par l'union européenne (fonds FEDER). 10- Réalisation de VCSELs accordables à injection électrique à base de puits quantiques pour les applications WDM dans les télécommunications optiques : projet ANR Lambda Access (Sources laser accordables a cavite verticale pour les reseaux d'acces a tres haut débit.)9- Caractérisations de nanotubes de carbone en micro-cavité pour des applications télécoms :projet ANR jeunes chercheurs CASTEL (CArbon nanotubeS for TELecommunications applications, 2007-2010) 8- Amplificateurs optiques et lasers bas chirp à base de boites quantiques émettant à 1.55 µm (European Network of Excellence on Photonic Integrated Components and Circuits EPIX, 2004-2009) 7- Etudes des boites quantiques : croissance, caractérisations, calculs, composants... (Self-Assembled semiconductor Nanostructures for new Devices in photonics and Electronics – European Network of Excellence SANDIE, 2004-2007) 6-
Etude de lasers à cavité verticale (VCSELs) à base
de puits quantiques
émettant à 1.55 µm, et accordabilité en
longueur d'onde (Etude financée
par la région Bretagne, 2003). 5- Absorbants
saturables ultra-rapides pour la régénération du
signal optique à 1Tb/s
DWDM stream (Etude financée par le ministère
français de l'industrie,
2002). 4- Etude des effets non-linéaires dans les boites quantiques InAs/InP pour le traitement du signal optique (Etude financée par Alcatel optronics, 2000) 3- Absorbants saturables ultra-rapides (~20Gb/s) à base de puits quantiques pour la régénération du signal optique (Etude financée par France Telecom R&D, 2000). 2- Etudes de
structures à boites quantiques
émettant at 1.55µm pour les applications Telecom (
ministère Français
de la recherche , 2000) 1- Routage optique par
diode à jonction pn utilisant l'effet Stark dans les puits
quantiques.
(Etude financée par France Telecom R&D, 1997). Directeur du laboratoire : Prof.
Alain LeCorre,
alain.le-corre@insa-rennes.fr Addresse : Laboratoire FOTON, INSA, 20 av. des Buttes de Coësmes CS 70839, F – 35708 Rennes Cedex 7, France Contacts principaux :
nombre de chercheurs permanents: 21 nombre de doctorants et post-docs (chercheurs
non-permanents): 12 nombre de publications internationales dans
les 4 dernières années : 89 nombre de participation écrites ou
orales dans les conférences internationales dans
les 4 dernières années: 113 nombre de thèses de doctorat finies
dans les 5 dernières années : 12 webmaster: C. CORNET |
